技術(shù)編號：7184872
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及具備在表面內(nèi)形成了作為對準標記被使用的溝的襯底的和具備該襯底的半導體裝置。背景技術(shù) 通常，半導體裝置是由對硅襯底反復進行鍍膜工序、光刻工序、加工·離子注入工序而被形成的。而且，因為用層疊光刻工序中被形成的復數(shù)的圖案來形成半導體裝置，因此，以高精度來實現(xiàn)復數(shù)次被實施的光刻工序之間的圖案的重疊是至關(guān)重要的。許多半導體裝置中，因為最初先在硅襯底上形成LOCOS(LocalOxidation of Silicon)構(gòu)造或STI(Sallow Trench...
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