技術(shù)編號：7188723
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及混合金屬FUSI柵的系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)及其制造方法?，F(xiàn)在參考圖3a，在圖中示出了半導(dǎo)體襯底302，該半導(dǎo)體襯底302包 括淺槽隔離區(qū)304和適合于PMOS和NMOS結(jié)構(gòu)的阱區(qū)(未示出)。襯底 302可包括硅或其它半導(dǎo)體材料，例如絕緣體上硅(SOI)。也可采用化合 物半導(dǎo)體代替硅，如GaAs、 InP、 Si/Ge或SiC。襯底302也可能包括前道 工藝(FEOL)中形成的其它有源元件或電路，在圖中未示出。在村底302上淀積電介質(zhì)層306。電介質(zhì)層306可...
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