技術(shù)編號：7190187
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明有關(guān)一種快閃電可擦可編程只讀存儲器(electrically-erasableprogrammable read-only memory，EEPROM)，尤指一種具有可選擇群組的快閃電可擦可編程只讀存儲器。(2)背景技術(shù)圖1(a)是標準浮動?xùn)糯┧硌趸?floating gate tunnel oxide，F(xiàn)LOTOX)胞元20的剖面圖，浮動?xùn)糯┧硌趸?0包括有復(fù)晶硅控制柵22(上面施加一控制電壓VCG)、復(fù)晶硅浮動?xùn)?4、與n型區(qū)域32耦合的發(fā)射...
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