技術(shù)編號：7190204
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是涉及一種半導(dǎo)體元件的制造方法，特別是涉及一種在同一芯片上混合設(shè)置有低功率元件及高效能元件的半導(dǎo)體元件及其制造方法。背景技術(shù) 通常同時具有兩種不同閘極元件的做法，是將邏輯元件及周邊元件分別形成在不同的芯片，再將其設(shè)置在同一板上，這樣的做法并無法確保其高速性。因此，后來出現(xiàn)一種混合有兩種元件的半導(dǎo)體裝置，即所謂的嵌入式半導(dǎo)體裝置。通常，邏輯元件區(qū)域的電晶體的閘極氧化層需要較薄的厚度，以提高電晶體的驅(qū)動能力，而周邊元件區(qū)域，例如存儲器元件區(qū)域的電晶體則需...
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