技術(shù)編號：7191540
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體封裝及功率模塊領(lǐng)域，具體地說是一種新 型帶門極電阻布局的功率MOSFET模塊。技術(shù)背景功率MOSFET (即功率金屬-氧化物-硅場效應(yīng)晶體管)模塊主要 包括基板、直接敷銅基板(DBC)、功率MOSFET芯片和功率端子。 在對該模塊中的直接敷銅基板(DBC)進(jìn)行設(shè)計(jì)時，要考慮熱設(shè)計(jì)、 結(jié)構(gòu)應(yīng)力設(shè)計(jì)、EMC設(shè)計(jì)和電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，此還同時要考慮設(shè)計(jì)產(chǎn) 品的生產(chǎn)成本。現(xiàn)有的功率MOSFET模塊(功率金屬-氧化物-硅場效 應(yīng)晶體管模塊)設(shè)計(jì)中存在的...
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