技術(shù)編號(hào):7207442
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。用于表征等離子體處理室內(nèi)的膜的射頻偏置電容耦合靜電(RFB-CCE)探針裝置背景技術(shù)在等離子體處理室加工襯底程序中,要有滿意的結(jié)果往往需要嚴(yán)格控制工藝參 數(shù)。尤其對(duì)于如沉積、蝕刻、清潔等用于生產(chǎn)現(xiàn)代高密度集成電路的工藝,更是如此。加工 參數(shù)(如偏置電壓、射頻功率、離子流、等離子體密度、壓力等)超過(guò)一個(gè)狹窄的預(yù)定區(qū)間, 即發(fā)生工藝偏差。這些工藝偏差是不希望出現(xiàn)的,它們往往導(dǎo)致進(jìn)程結(jié)果不良(如不良蝕 刻輪廓、低選擇性,等等)。因此,檢測(cè)、表征(characte...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。