技術編號：7207951
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明的示范性實施例針對磁阻隨機存取存儲器(MRAM)位單元的結構設計。更 特定來說，本發(fā)明的實施例涉及具有矩形底部電極(BE)板的自旋轉移力矩磁阻隨機存取 存儲器(STT-MRAM)位單元的結構設計，且其中底部電極(BE)板、有源層和Ml到M6金屬層 具有大體上相同的寬度。背景技術磁阻隨機存取存儲器(MRAM)為使用磁性元件的非易失性存儲器技術。舉例來說， 自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)使用當電子傳遞通過薄膜(自旋過濾器) 時變得自旋...
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