技術(shù)編號：7208325
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于磁盤驅(qū)動裝置的再生磁頭、磁性隨機存儲器的存儲元件和磁性傳 感器的磁阻元件，優(yōu)選隧道磁阻元件(特別是自旋閥型隧道磁阻元件)。此外，本發(fā)明涉及 磁阻元件的制造方法和用于該制造方法的存儲介質(zhì)。背景技術(shù)專利文獻1至專利文獻6、非專利文獻1、2中記載了由隧道阻礙層和設(shè)置在其兩側(cè) 的第一和第二鐵磁層(ferromagnetic layer)構(gòu)成的 TMR(隧道磁阻Tunneling Magneto Resistance)效應(yīng)元件。作為構(gòu)成該元件的第一和/...
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