技術(shù)編號：7209394
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一般而言，本發(fā)明說明書所揭露之內(nèi)容系關(guān)于積體電路，更具體而言，系關(guān)于利用如應(yīng)力覆蓋層、漏極與源極區(qū)及類似區(qū)域之應(yīng)變半導(dǎo)體合金的應(yīng)力源而具有應(yīng)變溝道區(qū)之晶體管，以增強(qiáng)MOS晶體管之溝道區(qū)中的電荷載子遷移率(charge carrier mobility)。背景技術(shù)一般而言，目前有復(fù)數(shù)種工藝技術(shù)實(shí)行于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，其中，對于復(fù)雜的電路系統(tǒng)(如微處理器、儲存晶片及類似的電路系統(tǒng))而言，由于CMOS技術(shù)在運(yùn)作速度及/ 或功率消耗及/或成本效益方面的優(yōu)異性能，故...
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