技術編號：7210016
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，尤其涉及需要選擇性的蝕刻工藝的。背景技術以氮化鎵(GaN)為代表的氮化物半導體，禁帶寬度大，介質(zhì)擊穿電壓、電子的飽和漂移速度大。因此，作為藍紫色半導體激光器裝置的材料以及高頻大功率半導體裝置等，近年來正在盛行研發(fā)，藍紫色半導體激光器裝置作為能夠進行高密度的信息記錄以及再生的高密度光盤的記錄用以及再生用光源。氮化物半導體屬于與用作紅色激光器裝置、高頻半導體裝置等的材料的鋁鎵砷(AWaAs)、用作紅外線激光器裝置的材料的銦鎵磷(InGaP)相同的I...
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