技術(shù)編號(hào)：7210793
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及一種其中形成有鐵電電容器的半導(dǎo)體器件及其制造方法，以及一種需要良好定向性的薄膜器件。背景技術(shù) DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)或SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)這類易失性存儲(chǔ)器和閃存(FLASH)存儲(chǔ)器這類非易失性存儲(chǔ)器已經(jīng)用于各種領(lǐng)域。另一方面，作為既具有DRAM的高速、低電壓可操作性又具有閃存的非易失特性的存儲(chǔ)器，F(xiàn)RAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)、MRAM(磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和PRAM(可編程隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)具有較大的潛力，對這些器件已進(jìn)行...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。