技術(shù)編號(hào)：7210860
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種。技術(shù)背景半導(dǎo)體技術(shù)向小線寬技術(shù)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)的同時(shí)，IC業(yè)界選用銅和低介電常數(shù) (Low K)材料作為減小O丄kim及其以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的互連電阻電容(RC)延 遲的關(guān)鍵解決方法，由于銅具有易擴(kuò)散、難刻蝕等特點(diǎn)，引入了鑲嵌工藝 (Damascene)。專利申請(qǐng)?zhí)枮?2128694.9的中國(guó)專利公開了 一種鑲嵌工藝， 其制造方法為首先在形成有金屬導(dǎo)線層的半導(dǎo)體基底上沉積第一覆蓋層，所 述第一覆蓋層可以是碳化硅，氮化硅中的一種，該第一...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。