技術(shù)編號(hào)：7212379
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)領(lǐng)域，更特別地，涉及一種用于異常磁致電阻(EMR)元件的引線接觸結(jié)構(gòu)以及產(chǎn)生該結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù) 已經(jīng)提出了基于異常磁致電阻(EMR)的磁致電阻(MR)讀元件用于磁記錄硬盤驅(qū)動(dòng)器。由于EMR元件中的有源區(qū)由非磁半導(dǎo)體材料形成，因此EMR讀元件不會(huì)遇到巨磁致電阻(GMR)元件和隧道磁致電阻(TMR)元件中存在的磁噪聲問題，巨磁致電阻元件和隧道磁致電阻元件在其有源區(qū)中均采用磁膜。EMR讀元件包括EMR結(jié)構(gòu)，其制造在襯底上作為包括半導(dǎo)體異...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。