技術(shù)編號：7212407
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及存儲器結(jié)構(gòu)，尤其涉及包括嵌入式閃速存儲器的存儲器結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、制造及使用。背景技術(shù) 許多公知的存儲器設(shè)備使用閃速存儲器單元。許多公知的閃速存儲器單元使用浮柵技術(shù)，當(dāng)施加編程電壓時(shí)，存儲一位或多位的信息于浮柵中。浮柵閃速存儲器設(shè)備的操作為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所知，為簡潔起見說明書在此將不贅述。最近，可以符合增加存儲器密度的需求的其他技術(shù)取代浮柵技術(shù)，舉例來說，SONOS(硅-氧-氮-氧-硅化物)技術(shù)已成為許多應(yīng)用的主流。在SONOS單元中，單元包括硅...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。