技術(shù)編號：7214089
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體，特別涉及一種。背景技術(shù) 對高壓側(cè)驅(qū)動器而言，基本上，在高壓結(jié)(HV junction)上覆蓋過大的導(dǎo)電材料會降低高壓結(jié)的擊穿電壓。如圖1A所示，特別是當(dāng)一凹型的導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)113直接設(shè)置于高壓結(jié)101的N型深阱(NWD)111上時，靠近凹型(或角落)區(qū)的高壓結(jié)101的P型阱區(qū)(PW)S的擊穿電壓(breakdown voltage)會大幅降低。請參照圖1B，其示出傳統(tǒng)電源供應(yīng)IC內(nèi)的一種高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的局部剖面圖。高壓側(cè)驅(qū)動...
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