技術(shù)編號：7214116
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及非易失性存儲器，更特別地，涉及通過在由普通金屬形成的 下電極與緩沖層之間包括n+界面層而以低操作電壓操作的可變電阻隨機存 取存儲器。背景技術(shù)具有高集成密度、高速操作特性、和低操作電壓的半導(dǎo)體存儲器是更優(yōu) 越的。常規(guī)存儲器包括連接到存儲單元的多個電路。在作為半導(dǎo)體存儲器的代 表的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的情況下，單位存儲單元通常包括一個 開關(guān)和一個電容器。DRAM具有高集成密度和高操作速度。然而，所存儲的 數(shù)據(jù)在關(guān)閉電源后被擦除。非易失性存儲...
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