技術(shù)編號：7214883
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種存儲元件及其制造方法，且特別是涉及一種相變存儲元 件及其制造方法。背景技術(shù)相變存儲具有速度、功率、容量、可靠度、工藝整合度及成本等方面的 竟?fàn)幮詢?yōu)勢，為適合用來作為較高密度的獨立式或嵌入式的存儲所應(yīng)用。由 于相變存儲技術(shù)的獨特優(yōu)勢，也使得其被認(rèn)為非常有可能取代目前商業(yè)化極具竟?fàn)幮缘撵o態(tài)存儲SRAM與動態(tài)隨機(jī)存儲DRAM揮發(fā)性存儲與閃存Flash 非揮發(fā)性存儲技術(shù)，可望成為未來極有潛力的下一代半導(dǎo)體存儲。圖1A繪示現(xiàn)有T型結(jié)構(gòu)的相變存儲單元10...
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