技術(shù)編號(hào)：7214965
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在發(fā)光二極管(LED)中引入的電流輸運(yùn)增透窗口層結(jié)構(gòu)，涉及一種新型的LED器件結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體光電子。背景技術(shù) 目前，普通的正裝結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管的設(shè)計(jì)方法及其存在的問題一般采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)進(jìn)行外延生長，器件結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括有從上往下依次縱向?qū)盈B生長的上電極10、電流擴(kuò)展層20、上限制層30、有源區(qū)400、下限制層50、緩沖層60、襯底70、下電極80。通過注入電流，電子空穴對(duì)在有源區(qū)輻射復(fù)合發(fā)光，產(chǎn)生的光子從器件的正面發(fā)射出來。該種...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。