技術(shù)編號：7220746
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體制造，且更特定地涉及用于提供限制環(huán) 驅(qū)動器的方法和設(shè)備，該限制環(huán)驅(qū)動器在行進范圍內(nèi)提供了限制環(huán)之 間的比例間隔。背景技術(shù)在基于半導(dǎo)體器件的制造期間，通常在基片上沉積材料層。每層 材料可以經(jīng)歷蝕刻過程。層的蝕刻可以通過包括等離子體強化蝕刻的 廣泛的技術(shù)完成。進行這些操作的等離子體蝕刻器可以包括限制環(huán)來將等離子體限 制在蝕刻室的區(qū)域內(nèi)。限制環(huán)用于限制等離子體且也保護了室壁。如 果無法實現(xiàn)在所有限制環(huán)之間的等間隙，則存在為控制壓力而可驅(qū)動 ...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。