技術(shù)編號(hào)：7221365
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及氧化硅膜的形成方法，詳細(xì)而言，涉及能夠應(yīng)用在例如作為半導(dǎo)體裝置的制造過程的元件隔離技術(shù)的淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation STI)中，在溝槽內(nèi)形成氧化膜的情況等下形成氧化 硅膜的方法。背景技術(shù)STI被公知為對(duì)形成在硅基板上的元件進(jìn)行電隔離的技術(shù)。STI以 氮化硅膜等作為掩模對(duì)硅進(jìn)行蝕刻，形成溝槽，在其中埋入Si02等絕 緣膜之后，通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP Chemical Mechanical Polishing) 處...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。