技術(shù)編號：7221371
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用等離子體處理半導(dǎo)體基板等被處理基板，而形成 氮化硅膜的。背景技術(shù)各種半導(dǎo)體裝置的制造過程中，進(jìn)行例如作為晶體管的柵極絕緣膜等的氮化硅膜的形成。作為氮化硅膜的形成方法，除利用CVD (化 學(xué)氣相沉積Chemical Vapor D印osition)堆積氮化硅膜的方法以外， 提出了例如利用等離子體處理向氧化硅膜導(dǎo)入氮，而形成氧氮化硅膜 的方法(例如，專利文獻(xiàn)1)。另一方面，隨著近年來半導(dǎo)體裝置的精密化，柵極絕緣膜不斷薄 膜化，要求形成膜厚薄至數(shù)n...
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