技術(shù)編號(hào):7223866
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。尤其是,本發(fā)明涉及互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)。 背景技術(shù)在現(xiàn)代的CMOS技術(shù)中,有利用全硅化(FUSI, fblly silicided)柵極的趨 勢(shì)。在這種器件中希望具有N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管上的特定 柵極硅化物和P溝道MOS晶體管上的不同柵極硅化物。硅化物可以是不同金 屬的硅化物或具有不同化學(xué)計(jì)量特性的相同金屬的硅化物。這種不同的化學(xué)計(jì) 量特性例如由硅層與不同厚度的金屬層的反應(yīng)引起。通常,...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。