技術(shù)編號(hào)：7223997
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種通過(guò)受控結(jié)晶化(controlled crystallization )來(lái)制造晶體 材料的帶的裝置。背景技術(shù)通常通過(guò)受控結(jié)晶化，即，從初始固化部分遷移固化前沿(液態(tài)/固態(tài)界 面)來(lái)獲得從液態(tài)硅浴的硅固化，其中該初始固化部分具體為種子或通過(guò)局 部冷卻結(jié)晶的首層。這樣，固態(tài)硅塊從液態(tài)硅浴中汲取原料逐漸生長(zhǎng)增大。 傳統(tǒng)上采用的兩種方法為柴可拉斯基(Czochralski)方法和布里吉曼 (Bridgman)方法或它們的變體。依照柴可拉斯基方法，將通...
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