技術(shù)編號(hào)：7224181
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件。更具體地說，本發(fā) 明涉及一種面朝上(face-up)型氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其配置 有具有優(yōu)良透光性和歐姆特性的正電極。背景技術(shù)近年來，GaN基化合物半導(dǎo)體材料作為用于短波長發(fā)光器件的半導(dǎo)體 材料吸引了人們的注意力。通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積方法(MOCVD方 法)、分子束外延(MBE方法)等，在各種氧化物襯底例如藍(lán)寶石晶體或 者III-V族化合物襯底上形成GaN基化合物半導(dǎo)體。GaN基化合物半導(dǎo)體材料的一...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。