技術(shù)編號：7224590
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在結(jié)處具有絕緣層的半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)和制造此種結(jié)構(gòu)的方法。技術(shù)背景已知大量的半導(dǎo)體金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M0SFET) 以及制造它們的方法。越來越期望降低這些晶體管的尺寸以增加在單 個半導(dǎo)體襯底上的柵極數(shù)目。當(dāng)晶體管變得越小時，許多效應(yīng)變得越來越與晶體管的性能相 關(guān)，其中包括漏電效應(yīng)。這在短溝道器件中尤其正確。尤其，已知為 結(jié)漏電的效應(yīng)變得越來越重要。結(jié)漏電涉及源極或漏極與襯底之間的 漏電流，其橫跨在源極(或漏極)擴散與...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。