技術(shù)編號：7225940
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明關(guān)于一種，尤其是關(guān)于一種可以提高用于隔離結(jié)構(gòu)的溝槽的間隙填充邊限的方法。背景技術(shù) 一般而言，半導(dǎo)體裝置包含用于電隔離各個電路圖案的隔離區(qū)。當(dāng)半導(dǎo)體裝置變得更高度集成和小型化時，因?yàn)橛性磪^(qū)的尺寸和后續(xù)工藝的工藝邊限取決于在起始步驟所形成的隔離區(qū)，所以用于減少隔離區(qū)尺寸已被積極研究。當(dāng)半導(dǎo)體裝置變得更高度集成和小型化時，因?yàn)長OCOS法比淺溝槽隔離(STI)法需要更多的空間執(zhí)行，所以先前被已廣泛使用以制造半導(dǎo)體裝置的LOCOS隔離法已大部分被STI法取代...
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