技術(shù)編號：7226140
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及閃速存儲器件，更具體而言，涉及閃速存儲器件的柵^L的形成方法。 背景技術(shù)隨著閃速存儲器件的集成度的提高，替代常規(guī)反應(yīng)離子蝕刻(R正)的 采用金屬鑲嵌法的金屬線形成法得到了越來越多的使用。這是因為在60nm 或更小的存儲器中，鴒柵極具有小于等于60nm的窄寬度，難以采用常規(guī)R正 方法構(gòu)圖。在采用硅化鴒(WSi)的情況下，難以確保柵極線。在將目標(biāo)提 高到確保電阻的情況下，其導(dǎo)致了內(nèi)電容的增大。此外，在進行柵極蝕刻時， 必須同時蝕刻硬掩模層、硅化...
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