技術(shù)編號：7227528
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及柵極氧化層的制作，特別涉及一種可提高均勻性的柵極氧化層 的制作方法。背景技術(shù)在特征尺寸為0. 25微米及更小的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，淺溝槽隔離技術(shù)被廣 泛使用，制造淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)時先通過光刻和刻蝕形成淺溝槽，然后填充淺溝 槽，最后通過化學(xué)機械拋光進行表面平坦化。但進行平坦化后的淺溝槽隔離結(jié) 構(gòu)具有拐角，柵極氧化層制作在至少兩淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)間且覆蓋所述淺溝槽隔 離結(jié)構(gòu)的拐角。參見圖1及圖2，其分別顯示了 M0S管的正向與側(cè)向剖^L圖，如圖所示， 該M0...
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