技術(shù)編號：7227840
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種半導(dǎo)體器件互連層 的頂層布線層及其形成方法。背景技術(shù)當(dāng)今半導(dǎo)體制造技術(shù)飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件已經(jīng)具有深亞微米結(jié)構(gòu)， 集成電路中已包含巨大數(shù)量的半導(dǎo)體器件。在如此大規(guī)模的集成電路中， 器件之間高可靠、高密度的連接不僅要在單層中進(jìn)行，而且需要在多層 之間進(jìn)行，因此，通常利用多層互連結(jié)構(gòu)對半導(dǎo)體器件的進(jìn)行連接。圖l 為半導(dǎo)體器件和互連結(jié)構(gòu)簡化示意圖。如圖l所示，在具有金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS )晶體管的襯底10表面沉積金屬前介電層...
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