技術(shù)編號(hào)：7228017
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種介質(zhì)層形成方法和 金屬層平整化方法。 背景技術(shù)半導(dǎo)體器件通常需要一層以上的金屬層提供足夠的互連能力，所述金 屬層間以及金屬層與器件有源區(qū)之間具有介質(zhì)層，所述金屬層間的互連所述通孔貫穿所述介質(zhì)層。在形成所述通孔之前，需預(yù)先形成所述介質(zhì)層。形成所述介質(zhì)層的步驟包括如圖1所示，提供半導(dǎo)體基底IO,所述半導(dǎo)體基底10表層具有金 屬層；如圖2所示，形成覆蓋所述半導(dǎo)體基底10的介質(zhì)層20。繼而，如圖 3所示，在所述介質(zhì)層20上形成具有...
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