技術(shù)編號：7228145
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的熔絲切割工藝，尤其涉及激光切割熔絲的測試 結(jié)構(gòu)和方法、激光切割熔絲的方法、以及測試晶圓。背景技術(shù)一般半導(dǎo)體存儲器例如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM, Dynamic Random Access Memory)中的存儲單元是以陣列的方式排列，存儲器的陣列除了用以 執(zhí)行正常存儲動作的核心陣列外，還包括冗余陣列。所謂"冗余陣列，，是指 在芯片(Die)上多制作幾條行列或縱列，這些行列或縱列平常沒有作用，但 是在晶圓(Wafer)設(shè)計(jì)出來后，通...
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