技術(shù)編號：7228566
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路(ic)及其制造，尤其涉及一種雙柵全耗盡絕緣體上硅互補式金屬氧化層半導(dǎo)體(SOI CMOS)器件及其 制備方法。背景技術(shù)絕緣體上硅(Silicon-On-Insulator，簡稱SOI)技術(shù)以其獨特的材料結(jié) 構(gòu)有效地克服了體硅材料的不足，充分發(fā)揮了硅集成技術(shù)的潛力。隨著器件尺寸進(jìn)入亞微米、深亞微米領(lǐng)域，SOI技術(shù)逐漸成為研究和 開發(fā)高速度、低功耗、高集成度以及高可靠的超大規(guī)模集成電路的重要技 術(shù)。特別是薄膜全耗盡SOI CMOS這種...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。