技術編號：7229604
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明總體涉及半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法，更具體地涉及熔絲及其制造方法，其采用熔絲元件，該元件利用現(xiàn)今的集成電路工作電壓來電編程。背景技術 過去，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)陣列的修理通過如下完成以冗余字線或位絨替代損壞字線或位線，同時使用激光斷開導電材料制成的電路熔絲。隨著器件持續(xù)小型化，這些激光熔絲的相對尺寸受到采用的激光的波長限制。因此，激光熔絲的尺寸不能無窮盡地收縮。這樣，由于實現(xiàn)熔化和避免對相鄰電路破壞所需要的硅空間，更難于實現(xiàn)燒蝕激光熔斷熔絲。而...
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