技術(shù)編號(hào)：7230571
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種用于閃存(Flash)的。 背景技術(shù)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器有兩種主要的器件，即閃存和EEPROM (電擦除可編 程只讀存儲(chǔ)器)。閃存與EEPROM相比形成器件所需的面積小，這樣可以在 相同器件尺寸的情況下提高器件的存儲(chǔ)能力。閃存在智能卡、微處理器等 領(lǐng)域有非常廣泛的應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的發(fā)展，如何減少器件所用的面積，提高電 路的集成度是業(yè)界不斷探索和追求的目標(biāo)。電荷囚禁(charge trapping...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。