技術(shù)編號(hào)：7230647
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體器件的集成電路及其工藝。更特別地， 本發(fā)明提供在MOS晶體管器件結(jié)構(gòu)中制造低漏泄接觸的方法與器件。 僅僅作為舉例,本發(fā)明已經(jīng)應(yīng)用于通常稱為DRAMs的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存 儲(chǔ)器件。但是，應(yīng)認(rèn)識(shí)到本發(fā)明具有寬得多的應(yīng)用范圍。例如，本發(fā)明可 應(yīng)用于對(duì)由漏泄電流所引起的性能下降敏感的其它MOS電路中的晶體 管。背景技術(shù)集成電路從制造在單個(gè)硅芯片上的少數(shù)互連器件發(fā)展到數(shù)百萬個(gè) 器件。為了實(shí)現(xiàn)復(fù)雜性和電路密度(即，能封裝到給定芯片面積上的器 件數(shù)目...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。