技術(shù)編號：7232556
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米電子器件及納米加工，尤其涉及一種采用低 能離子注入的手段制作金屬納米晶非揮發(fā)性存儲器的方法。背景技術(shù)非揮發(fā)性存儲器的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下也能夠長期保持存儲的信息。它既有只讀存儲器(ROM)的特點(diǎn)，又有很高的存取速度，而 且易于擦除和重寫，功耗較小。隨著多媒體應(yīng)用、移動通信等對大容量、 低功耗存儲的需要，非揮發(fā)性存儲器，特別是閃速存儲器(Flash),所占 半導(dǎo)體器件的市場份額變得越來越大，也越來越成為一種相當(dāng)重要的存儲 器類型。傳統(tǒng)的F...
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