技術(shù)編號：7234656
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及利用例如單大馬士革(Single Damascene)法或雙大馬 士革(Dual Damascene)法形成的。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件的制造過程中，在配線槽或連接孔的形成中，大多 使用雙大馬士革法(例如，參照專利文獻1)。圖13是示意性地表示以 往的雙大馬士革法的Cu配線的形成方法的一個例子的說明圖。首先，在基板上，從下面開始依次形成例如配線層500、層間絕緣 膜501、反射防止膜502，在該多層膜結(jié)構(gòu)的表面上形成第一抗蝕劑膜 503 (圖13 (...
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