技術(shù)編號：7235460
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。 背景技術(shù)圖10 圖14是專利文獻(xiàn)1的圖1 圖5。如圖10所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲裝置10具有由強(qiáng)介電體層1313和半導(dǎo)體層14 構(gòu)成的層疊膜，在層疊膜的強(qiáng)介電體層13—側(cè)形成第1電極12，在層疊膜的半導(dǎo)體層14 一側(cè)形成多個第2電極15a 15c。另外，這些層形成在基板11上。圖IlA和圖IlB是表示半導(dǎo)體存儲裝置的初始狀態(tài)的圖，圖IlA是截面立體圖，圖 IlB表示等效電路圖。例如，在半導(dǎo)體層14使用η型半導(dǎo)體的情況下，在初始狀態(tài)下，以使強(qiáng)介...
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