技術編號：7235693
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及絕緣柵型半導體裝置，特別涉及能夠充分確保動作區(qū)域面積 并維持高反向耐壓的絕緣柵型半導體裝置。背景技術在現(xiàn)有的絕緣柵型半導體裝置中，晶體管單元沒有被配置在柵焊盤電極 的下方(例如參照專利文獻1 )。此外，有在柵焊盤電極的下方串聯(lián)連接多個例如pn結的保護二極管的情 況。此外，也有在柵焊盤電極下方的襯底上為了確保漏-源間的反向耐壓而形 成高濃度雜質(zhì)的擴散區(qū)域域的情況。圖11 (A)、 (B)作為現(xiàn)有的絕緣柵型半導體裝置表示在柵焊盤電極下方 設置了 P+...
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