技術(shù)編號(hào)：7237069
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體襯底上依次形成下側(cè)包層、活性層、上側(cè)包層的半 導(dǎo)體激光器及應(yīng)用這種半導(dǎo)體激光器的電子設(shè)備。該申請(qǐng)基于2006年10月19日在日本申請(qǐng)的特愿2006-285444請(qǐng)求優(yōu)先 權(quán)。根據(jù)其中記載，其全部?jī)?nèi)容都被編入本申請(qǐng)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體襯底上依次形成下側(cè)包層、活性層、上側(cè)包層的半導(dǎo)體激光器 已被提出。該半導(dǎo)體激光器被應(yīng)用于將光數(shù)據(jù)寫入并記錄在光盤(寫入用光 盤)的電子設(shè)備。隨著光盤的寫入速度的高速化，對(duì)于現(xiàn)有半導(dǎo)體激光器要求增大其光輸 出。此外...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。