技術(shù)編號：7238082
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及在襯底上具有多個元件的半導(dǎo)體器件和制造 所述器件的方法。背景技術(shù)例如，在公開號為2001-60634的日本專利申請(專利文獻(xiàn)1 = US 6365932B1)中公開了一種具有形成在一個半導(dǎo)體襯底上的金屬 氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管和雙極性晶體管的半導(dǎo)體器件。圖15 是在專利文獻(xiàn)1中公開的常規(guī)半導(dǎo)體器件，其用于示出半導(dǎo)體器件 90的截面。圖15所示的半導(dǎo)體器件90是形成在一個半導(dǎo)體襯底1上的有 源元件和無源元件的復(fù)合IC。半導(dǎo)體器件90是用...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。