技術(shù)編號：7238966
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體照明，涉及一種制作LED芯片的方法。 背景技術(shù)LED芯片的出光效率在于外量子效率和內(nèi)量子效率，其中外量子效率大 小等于內(nèi)量子效率與光的逃逸率之積，當(dāng)前，商業(yè)化LED的內(nèi)量子效率已經(jīng) 接近100%，但是外量子效率僅有3—30%，這主要是由于光的逃逸低造成的， 因此，外量子效率成為高亮度LED芯片的主要技術(shù)瓶頸。引起光逃逸的因素 有晶格缺陷對光的吸收、襯底對光的吸收、光出射過程中各個(gè)界面由于全反 射造成的損失等等。對于后者，是因?yàn)镚aN和空氣的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。