技術(shù)編號(hào)：7239050
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本發(fā)明要求2007年1月3日提交的韓國專利申請(qǐng)2007-0000403的 優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。背景技術(shù)本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法，更具體涉及半導(dǎo)體器件中柵電 極的制造方法。最近，鎢(W)已經(jīng)用于形成半導(dǎo)體器件的柵電極。即，半導(dǎo)體器件 通常使用具有順序形成在柵極絕緣層上的多晶硅層、鎢層和柵極硬掩模 層的柵電極。然而，在使用鎢層形成柵電極時(shí)，在氧(02)氣體氛中進(jìn)行的后續(xù)工 藝期間，鎢層的上表面會(huì)被氧化，從而在鎢層側(cè)壁上...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。