技術編號：7241990
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般來說涉及半導體裝置領域。更明確地說，本發(fā)明在ー個或ー個以上實施例中涉及經氣體團簇離子束 (GCIB)處理的電阻性裝置及形成所述經GCIB處理的電阻性裝置的方法。背景技術電阻性裝置還可用作半導體電阻器、開關或存儲器元件(例如，存儲器裝置的存儲器單元)等等應用。通常提供存儲器裝置作為計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路。存在許多不同類型的存儲器，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、同步動態(tài)隨機存取...
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