技術(shù)編號(hào)：7241993
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用原料氣體在半導(dǎo)體晶片等被處理體上形成薄膜的成膜裝置。背景技術(shù)近年來，在半導(dǎo)體集成電路裝置中，伴隨著微細(xì)化，層間絕緣膜中形成的Cu孔塞的直徑從65nm縮小到45nm，可以預(yù)測(cè)在不遠(yuǎn)的將來孔塞直徑還會(huì)進(jìn)一步縮小到32nm或22nm。伴隨著這樣的半導(dǎo)體集成電路裝置的微細(xì)化，在微細(xì)的通孔或配線槽中，通過現(xiàn)有的PVD法進(jìn)行阻擋金屬膜或Cu種層的成膜，從階梯覆蓋的觀點(diǎn)出發(fā)很困難。因此，利用能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的階梯覆蓋的MOCVD法或ALD法進(jìn)行的成膜技術(shù)備受矚...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。