技術(shù)編號：7242721
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種。該方法包括提供一基板；以一第一氣相沉積工藝形成一導(dǎo)體層于該基板上；以一第二氣相沉積工藝形成一第一非晶質(zhì)薄膜于該導(dǎo)體層上；對該第一非晶質(zhì)薄膜進(jìn)行一改質(zhì)工藝，以將該第一非晶質(zhì)薄膜改質(zhì)為一第一阻障層，該第一阻障層包括一第二非晶質(zhì)薄膜及一晶體化薄膜，其中該晶體化薄膜位于該第二非晶質(zhì)薄膜的上表面；以一化學(xué)氣相沉積工藝形成一第二阻障層于該第一阻障層上，以形成阻障堆疊結(jié)構(gòu)。專利說明[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體工藝，特別是涉及一種。背景...
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