技術(shù)編號：7243040
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括a）在半導(dǎo)體襯底上形成柵極堆疊，并去除柵堆疊兩側(cè)的部分襯底；b）在所述柵極堆疊及其下方的襯底的部分的側(cè)壁上形成側(cè)墻；c）在柵極堆疊兩側(cè)的襯底中形成摻雜區(qū)，并形成覆蓋整個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一介質(zhì)層；d）在柵極堆疊的寬度方向上選擇性去除部分柵極堆疊以及部分第一介質(zhì)層，形成溝道區(qū)開口及其兩側(cè)的源漏區(qū)開口；e）在溝道區(qū)開口的側(cè)壁上形成高k介質(zhì)層；f）外延生長形成連續(xù)的跨溝道區(qū)開口和源漏區(qū)開口的鰭結(jié)構(gòu)。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種根據(jù)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。