技術編號：7243042
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明提供一種，通過在形成圍繞所述鰭片兩側(cè)和上方的高k柵介質(zhì)層的步驟之前或之后，在重氫和惰性氣體的混合氣氛圍中對所述鰭片進行退火，消除鰭片中硅的懸掛鍵，減少鰭片界面處感生帶隙態(tài)或氧空位，改善高k介質(zhì)層中費米能級釘扎問題，平滑鰭片界面，從而減少高k介質(zhì)層中的缺陷數(shù)量，抑制電荷陷阱影響，改善閾值電壓漂移，提高FinFET器件的性能。專利說明[0001]本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種。背景技術[0002]MOSFET (金屬氧化半導體場效應晶體管)是大部...
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