技術(shù)編號(hào):7243208
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。,包括步驟提供半導(dǎo)體襯底;在所述襯底上形成柵堆棧層,包括依次層疊的界面層、介電層、覆蓋層、犧牲柵材料層、硬掩膜層;蝕刻所述柵堆棧層以在所述襯底上形成虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu);在所述襯底中形成源漏極;蝕刻所述虛設(shè)柵極結(jié)構(gòu)的所述硬掩膜層和所述犧牲柵材料層以形成溝槽;填充所述溝槽形成金屬柵極。其可以解決金屬柵半導(dǎo)體器件的制造的金屬柵替代(RMG)步驟中所使用的CMP方法不易控制而無(wú)法得到理想厚度/高度的金屬柵極的問(wèn)題。使用本發(fā)明方法所制造的半導(dǎo)體器件可獲得統(tǒng)一的金屬柵極高度...
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