技術(shù)編號：7243514
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開了一種溝槽電荷補償肖特基半導體裝置，其中具有電荷補償結(jié)構(gòu)，當半導體裝置接一定的反向偏壓時，第一導電半導體材料與第二導電半導體材料可以形成電荷補償，提高器件的反向阻斷特性；通過溝槽上部引入多晶半導體材料，可以降低半導體裝置接反向偏壓時肖特基結(jié)表面的峰值電場強度，從而進一步提高器件的反向阻斷特性。本發(fā)明還提供了一種溝槽電荷補償肖特基半導體裝置的制造方法。專利說明[0001]本發(fā)明涉及到一種溝槽電荷補償肖特基半導體裝置，本發(fā)明還涉及一種溝槽電荷補償肖特...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。